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数字接地电阻检测管理方法

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-03-03 0:32:15 * 浏览: 173
???是一家专业研发和生产数字接地电阻的制造商,该公司的数字接地电阻在业界广受好评,以打造最权威的“数字接地电阻”高压设备供应商而努力工作。使用数字接地电阻检测FET,判断电极,检查它们的好坏,无标记FET以及检测放大能力的一些方法1.使用电阻测量方法来判断结FET的电极PN结的反向电阻值不同可以区分结型场效应晶体管的三个电极。具体方法:拨打R×1k上的数字接地电阻,并选择两个电极分别测量正向和反向电阻值。当两个电极的正负电阻值相等且为几千欧姆时,两个电极分别为漏极D和源极S.因为对于结型FET,漏极和源极是可互换的,所以其余的电极必须是栅极G。您也可以随意将数字接地电阻的黑色测试引线(红色测试引线)触摸到一个电极上,另一电极进行测试。导致接触其他两个电极以测量电阻值。当两次测量的电阻值大致相等时,与黑色测试引线接触的电极为栅电极,其余两个电极分别为漏电极和源电极。如果两次测量的电阻值非常大,则意味着PN结的反向,即反向电阻。可以判断它是一个N沟道场效应晶体管,黑色测试引线连接到栅极。电阻值很小,表明它是正向PN结,即正向电阻,被确定为P沟道场效应晶体管,并且黑色测试引线也连接到栅极。如果未发生上述情况,则可以根据上述方法更换和测试黑色和红色测试线,直到识别出网格为止。 2.使用电阻测量方法确定场效应管的质量。电阻测量方法使用数字接地电阻来测量场效应管的源极和漏极,栅极和源极,栅极和漏极以及栅极G1和栅极。 G2之间的电阻与场效应管手册中指示的电阻值彼此一致,以判断管的质量。具体方法:首先将数字接地电阻设置为R×10或R×100,然后测量源极S和漏极D之间的电阻,通常在几十欧姆到几千欧姆的范围内(如在手册中,各种不同类型的管具有不同的电阻值)。如果测得的电阻值大于正常值,则可能是由于内部接触不良所致;如果测得的电阻值是无限大,则可能是内部断开。然后将数字接地电阻设置为R×10k,然后测量栅极G1和G2之间,栅极与源极之间以及栅极与漏极之间的电阻。测量时,电阻值是无限的。 ,表示管子是正常的,如果上述电阻值太小或过通道,则表示管子不好。应该注意的是,如果两个栅格在管子中破裂,则可以使用组件更换方法进行检测。 3.通过电阻测量方法区分未标记的场效应晶体管首先,通过测量电阻找出两个具有电阻值的引脚,即源极S和漏极D,其余两个引脚为第一栅极G1。第二个门G2。首先记录用两条测试线测量的源极S和漏极D之间的电阻值,然后再次测量测试线,然后记录测量的电阻值。用较大的电阻两次测量电阻,黑色测试引线。所连接的电极是漏极D,红色的测试引线连接到源极S。通过该方法确定的S和D极也可以通过估计管的放大倍率来验证,即黑色的测试笔具有较大的壮丽的位置连接到D极,红色测试笔接地到8极。所有方法的测试结果应相同。确定漏极D和源极S的位置后,根据D和S的相应位置安装电路。通常,G1和G2将按顺序排列。这确定了两个栅格G1和G2的位置。因此,确定了D,S,G1和G2引脚的顺序。 4.通过测量反向电阻值的变化来判断跨导的大小。在测量VMOS通道增强型场效应管的跨导性能时,可以使用红色测试线将源S连接,将黑色测试线连接至电源。相当于漏极D。在源极和漏极之间施加反向电压。此时,格栅是打开的,并且管子的反向电阻非常不稳定。在R×10kΩ的高电阻范围内选择数字接地电阻的欧姆范围,此时表中的电压较高。当您用手触摸栅格G时,您会发现管子的反向电阻发生了很大变化。变化越大,则管的跨导值越高,如果被测管的跨导较小,则使用此方法进行测量。此时,反向电阻变化不大。 5.使用感应信号输入法估算FET的放大能力:使用数字接地电阻R×100,将红色测试引线连接到源极S,将黑色测试引线连接到漏极D。场效应管。电源电压为1.5V,仪表的漏源之间的电阻值。然后,用手握住结型场效应晶体管的栅极G,然后将人体感应电压信号施加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏极-源极电压VDS和漏极电流Ib都必须改变,也就是说,漏极-源极之间的电阻已经改变,因此可以观察到表针。大摆。如果格栅销的手柄小,则表示管的放大能力差;如果手波大,则表示管的放大能力大;如果手不动,则管的放大率大。被打破。根据上述方法,我们使用数字接地电阻的R×100范围来测量结型场效应管3DJ2F。首先打开管的G极,测量漏源电阻RDS为600Ω。用手捏住G极后,仪表指针将向左摆动,指示的电阻RDS将为12kΩ,仪表指针将摆动很多,表明管子是好的。 ,并具有较大的放大倍率。使用这种方法时,需要说明以下几点:首先,当使用测试场效应管用手握住栅格时,数字接地电阻引脚可能会向右摆动(电阻值减小)或向左摆动(电阻值增加)。这是因为人体感应的交流电压高,并且使用电阻档测量时,不同场效应管的工作点可能会有所不同(在饱和区域或不饱和区域)。实验表明,大多数电子管的RDS都增加了,也就是说,手向左摆动,少数电子管的RDS减小了,这使得手向右摆动。但是,无论手的摆动方向如何,只要手的摆动较大,就表示该管具有较大的放大能力。其次,该方法也适用于MOS FET。但是,应该注意的是MOS场效应晶体管的输入电阻很高,并且栅极G所允许的感应电压不应太高,因此请勿用手直接捏住栅极。必须将其用于握住螺丝刀的绝缘手柄,并使其与金属棒接触。触摸栅格以防止人体感应的电荷直接添加到栅格中,从而导致栅格击穿。第三,每次测量应在G-S极之间短路。这是因为G-S结电容器将以少量电荷充电,并且将建立VGS电压,这将导致指针在再次执行测量时移动。仅需要释放G-S电荷之间的短路。相关产品t详细信息页:710 /